实现5G流动性:Western Digital Corpor

最后编辑于 2020-05-22
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Western Digital Corporation (NASDAQ: WDC)最新嵌入式快闪记忆体在速度和容量方面更好地优化超高端智能手机及流动设备的功能,从而丰富在5G时代智能手机用户的流动体验。 iNAND® MC EU511採用公司先进的96层3D NAND技术,支持通用快闪记忆体储存 (UFS) 3.0 Gear 4/2 Lane规範。性能优越的第6代iNAND SmartSLC可实现高达750MB/s的涡轮序列写入速度,仅需3.6秒就可下载一部长达2小时的电影[1]。

5G的标準模式可为所有的流动和边缘装置带来超快的传输速度、低延迟、低耗量和高网络容量等优势。但这些功能需要高速数据接口,如UFS 3.0,不仅可以改变智能手机,还可以改造数十亿互联物联网( IoT )设备。

Western Digital Corporation装置事业部门高级总监Oded Sagee表示:「智能手机逐渐成为万物互联的中心。高速5G网络旨在实现快于之前100倍的数据传输速度并在更多的设备上部署人工智能(AI)。人工智能(AI)由集成式神经处理单元(NPU)所驱动,允许我们浏览大数据和快速数据,这将改变我们使用智能手机的方式。面对实时边缘计算的高需求,严格的数据捕获标準和浏览模式将成为5G设备必须满足的基本条件。凭藉UFS 3.0嵌入式快闪记忆体,Western Digital可以让用户随时随地且无缝地体验5G应用的新威力。」

5G流动设备借助UFS 3.0快闪接口,为扩增实境(AR)、虚拟现实(VR)和手机游戏等应用提供更高的性能和更低的延迟。此外,快速的网络将使消费者能够在流动设备上快速下载和查看超高解像度照片和4K/ 8K媒体资源。

通过iNAND MC EU511  嵌入式快闪记忆体为构建5G设备做好準备

iNAND MC EU511嵌入式快闪记忆体凭藉快于上一代产品两倍的循序读写性能以及高达750MB/s高速循序写入性能而领先业界。随着随机读/写性能的提高和容量从64GB到512GB的提升,iNAND MC EU511嵌入式快闪记忆体已为即将到来的5G革命做好了準备。Western Digital Corporation正在与各OEM合作,送样测试iNAND MC EU511嵌入式快闪记忆体解决方案。欲了解更多相关资讯息,请浏览:Western Digital。



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